STB12NK80ZT4和STP12NK80Z

对比图

型号 STB12NK80ZT4 STP12NK80Z STB12NK80Z-S

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道800V - 0.65ohm - 10.5A I2SPAK齐纳保护的超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10.5A I2SPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 10.5 A 10.5 A -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.65 Ω 750 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 190 W 190 W -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -

漏源击穿电压 800 V 800 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.5 A 10.5 A -

上升时间 18 ns 18 ns -

输入电容(Ciss) 2620pF @25V(Vds) 2620pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 190 W 190 W -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190000 mW -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 9.35 mm 4.6 mm -

高度 4.6 mm 9.15 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 - -