对比图
型号 SI4116DY-T1-GE3 SI4466DY-T1-E3
描述 N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC
针脚数 8 8
漏源极电阻 7.1 mΩ 9 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 5 W 3 W
阈值电压 600 mV 600 mV
漏源极电压(Vds) 25 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 13.5 A
上升时间 11 ns -
输入电容(Ciss) 1925pF @15V(Vds) -
下降时间 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5 W -
漏源击穿电压 - 20.0 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
高度 1.55 mm -
封装 SOIC SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -