对比图
型号 FDB52N20TM STB40NF20 STB30NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 3 2
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 52.0 A 40.0 A -
针脚数 2 3 2
漏源极电阻 0.041 Ω 0.045 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 357 W 160 W 125 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
输入电容 2.90 nF 2.50 nF -
栅电荷 63.0 nC 75.0 nC -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 200 V - -
连续漏极电流(Ids) 52.0 A 25.0 A, 40.0 A -
上升时间 175 ns 44 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 357 W 160 W 125 W
下降时间 29 ns 22 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 357 W 160W (Tc) 125W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - 200 V -
长度 9.98 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 10.16 mm 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.572 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -