对比图
型号 IPB015N04LG IPB015N04LGATMA1
描述 IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀IPB015N04L 系列 40 V 1.5 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 250 W
上升时间 13 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 21000pF @25V(Vds) 21000pF @25V(Vds)
下降时间 21 ns 21 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250 W 250 W
漏源极电阻 - 0.0012 Ω
阈值电压 - 4.5 V
漏源极电压(Vds) - 40 V
连续漏极电流(Ids) - 120A
长度 10.31 mm 10.31 mm
宽度 9.45 mm 9.45 mm
高度 4.572 mm 4.572 mm
封装 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC