FDB8832和FDB8832_F085

对比图

型号 FDB8832 FDB8832_F085 SPB80N03S2-03

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8832  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 VTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 2 - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 300 W 300 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80.0 A

输入电容(Ciss) 11400pF @15V(Vds) 11400pF @15V(Vds) 7020pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 80.0 A

输入电容 11.4 nF - 7.02 nF

栅电荷 265 nC - 150 nC

通道数 1 - -

针脚数 2 - -

漏源极电阻 1.5 mΩ - -

阈值电压 1.6 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 73 ns - -

下降时间 38 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 11.33 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -