AO4485和FDS4141

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4485 FDS4141 FDS4675

描述 -40V,-10A,P沟道MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 1.1 W - -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.7 W 5 W 2.4 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10.8A -11.0 A

上升时间 20 ns 2 ns 29.0 ns

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 3000pF @20V(Vds) 2670pF @20V(Vds) 4350pF @20V(Vds)

下降时间 30 ns 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7W (Ta) 5W (Ta) 2.4W (Ta)

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.011 Ω 0.013 Ω

额定功率(Max) - 2.5 W 1.2 W

额定电压(DC) - - -40.0 V

额定电流 - - -11.0 A

输入电容 - - 4.35 nF

栅电荷 - - 40.0 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.575 mm 1.575 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台