对比图
型号 IRFPS3810 IRFPS3810PBF CSD19531KCS
描述 TO-274AA N-CH 100V 170AN沟道 100 V 580 W 260 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-274AATEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 SUPER-247 TO-247-3 TO-220-3
额定功率 - 441 W -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 580W (Tc) 580 W 179 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 170 A 170A 100A
上升时间 270 ns 270 ns 7.2 ns
输入电容(Ciss) 6790pF @25V(Vds) 6790pF @25V(Vds) 3870pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 580 W 214 W
下降时间 - 140 ns 4.1 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 580W (Tc) 580W (Tc) 214W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0064 Ω
阈值电压 - - 2.7 V
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 170 A - -
产品系列 IRFPS3810 - -
漏源击穿电压 100 V - -
长度 - 15.87 mm 10.67 mm
宽度 - 5.31 mm 4.7 mm
高度 - 20.7 mm 16.51 mm
封装 SUPER-247 TO-247-3 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active 正在供货
包装方式 Bulk Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99