对比图
型号 NTD20P06LT4G SUD19P06-60-GE3 NTD20P06LG
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAKVISHAY SUD19P06-60-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 VP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -15.0 A - -15.5 A
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.143 Ω 0.048 Ω 0.143 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 65 W 2.3 W 65 W
阈值电压 1.5 V - -
漏源极电压(Vds) 60 V -60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 15.5 A -19.0 A 15.5 A
上升时间 90 ns 9 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 1190pF @25V(Vds) - 1190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 65 W - 65 W
下降时间 70 ns 30 ns 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 65000 mW - 65W (Tc)
输入电容 - - 1.19 nF
栅电荷 - - 26.0 nC
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.38 mm - 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99