MMDF2N02ER2G和NTMD6N02R2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDF2N02ER2G NTMD6N02R2G FDS4953

描述 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFETN 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4953  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 25.0 V 20.0 V -30.0 V

额定电流 2.00 A 6.00 A -5.00 A

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 100 mΩ 0.035 Ω 55 mΩ

极性 Dual N-Channel N-Channel P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

输入电容 - - 528 pF

栅电荷 - - 6.00 nC

漏源极电压(Vds) 25 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 25 V 20 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 6.50 A -5.00 A

上升时间 - 50.0 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 532pF @16V(Vds) 1100pF @16V(Vds) 528pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 730 mW 900 mW

下降时间 - - 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W 2 W

阈值电压 - 900 mV -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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