JANTX2N5686和MJ14001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5686 MJ14001 MJ14001G

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR高?当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power Transistors高?当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-3

引脚数 3 - 2

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @25A, 2V 15 @50A, 3V 15 @50A, 3V

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -60.0 A

极性 NPN - PNP

耗散功率 300 W - 300 W

集电极最大允许电流 50A - 60A

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300000 mW - -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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