BD242BG和TIP127G

对比图

型号 BD242BG TIP127G BD242B

描述 互补硅塑料功率晶体管80A ???? 100伏 Complementary Silicon Plastic Power Transistors 80−100 VOLTSPNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -100 V -80.0 V

额定电流 -3.00 A -5.00 A -3.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 40 W 65 W 40000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

集电极最大允许电流 3A 5A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 4V 1000 @3A, 3V 25 @1A, 4V

额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 40000 mW

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 5 A -

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

直流电流增益(hFE) - 1000 -

输入电压 - 2.5 V -

频率 3 MHz - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.28 mm 10.28 mm -

宽度 4.82 mm 4.82 mm -

高度 9.28 mm 9.28 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -