对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 VSTMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.014 Ω 0.028 Ω
耗散功率 52 W 70 W
阈值电压 - 1 V
输入电容 1.71 nF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 11 ns 122 ns
输入电容(Ciss) 1715pF @15V(Vds) 1670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W 70 W
下降时间 21 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 52W (Ta) 70W (Tc)
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V
额定电流 -40.0 A -24.0 A
额定功率 - 70 W
极性 P-Channel P-Channel
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) -40.0 A 24.0 A
栅电荷 17.0 nC -
长度 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 -