FM25V02-G和FM25V02A-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM25V02-G FM25V02A-G FM25V02-GTR

描述 F-RAM,Cypress Semiconductor FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。256-Kbit(32K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.0V to 3.6V

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Ramtron

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.98 mm 4.97 mm -

宽度 3.987 mm 3.98 mm -

高度 1.478 mm 1.47 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

重量 0.0086400280352 kg - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

供电电流 2.5 mA 2.5 mA -

针脚数 - 8 -

时钟频率 40 MHz 40 MHz -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 2 V 2 V -

频率 40 MHz - -

存取时间 9 ns - -

存取时间(Max) 9 ns - -

ECCN代码 - EAR99 -

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