对比图
型号 BSC057N03MS G FDMS7678 SIR468DP-T1-GE3
描述 IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7678 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 1.5 VVISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 PG-TSDSON Power-56-8 PowerPAK SO
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 0.0048 Ω 0.0047 Ω 0.0047 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 41 W 50 W
阈值电压 1 V 1.5 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 17.5A 40.0 A
输入电容(Ciss) 2300pF @15V(Vds) 2410pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 45 W 2.3 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 45 W 2.3W (Ta), 41W (Tc) -
上升时间 6.6 ns - -
下降时间 6.8 ns - -
长度 5.35 mm 5.1 mm -
宽度 6.1 mm 6.25 mm -
高度 1.1 mm 1.05 mm -
封装 PG-TSDSON Power-56-8 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -