对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP65N06 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 65A, TO-220STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 65.0 A 60.0 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.016 Ω 0.016 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 110 W
阈值电压 2 V 2 V
输入电容 5.52 nF -
栅电荷 69.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 65.0 A 60.0 A
上升时间 94 ns 108 ns
输入电容(Ciss) 2170pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 110 W
下降时间 52 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - 1
栅源击穿电压 - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99