对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8622 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 VVISHAY SI7812DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 Power-33-8 1212
安装方式 Surface Mount -
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0437 Ω 0.031 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 3.8 W
阈值电压 2.9 V 2.3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 4A 16.0 A
输入电容(Ciss) 402pF @50V(Vds) 840pF @35V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 3800 mW
通道数 1 -
漏源击穿电压 100 V -
上升时间 1.6 ns -
下降时间 2.2 ns -
高度 0.75 mm 1.04 mm
封装 Power-33-8 1212
长度 3.3 mm -
宽度 3.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15