BSH103和MMBF0201NLT1G

对比图

型号 BSH103 MMBF0201NLT1G BSH103,235

描述 BSH103 N沟道MOSFET 30V 850mA/0.85A SOT-23/SC-59 marking/标记 J3 低噪声增益控制放大器ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20VTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3Pin TO-236AB T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 300 mA -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.75 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 750 mW 225 mW 540mW (Ta)

阈值电压 - 1.7 V 400 mV

输入电容 - 45.0 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 - 62 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 850 mA 300 mA -

上升时间 - 2.5 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) - 45pF @5V(Vds) 83pF @24V(Vds)

额定功率(Max) - 225 mW -

下降时间 - 0.8 ns 7 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225mW (Ta) 540mW (Ta)

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm -

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -