MJE13009和MJE13009G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE13009 MJE13009G FJP13009TU

描述 12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTSFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJP13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 4 MHz 4 MHz

额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V

额定电流 12.0 A 12.0 A 12.0 A

额定功率 - 100 W -

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 12 W 100 W 100 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 - 12A 12A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5A, 5V 8 8 @5A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 40 -

额定功率(Max) 2 W 2 W 100 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 100000 mW 100000 mW

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 8

长度 10.28 mm 10.28 mm 10.67 mm

宽度 4.82 mm 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 9.28 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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