MJE2955T和MJE2955TTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE2955T MJE2955TTU MJE2955T_NL

描述 STMICROELECTRONICS  MJE2955T  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SiliconTrans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin (3+Tab) TO-220

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

频率 2 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -10.0 A -10.0 A -

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 75 W 75 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) 70 100 -

额定功率(Max) 75 W 600 mW -

直流电流增益(hFE) 20 20 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 75000 mW 600 mW -

针脚数 3 - -

长度 10.4 mm 10.1 mm -

宽度 4.6 mm 4.7 mm -

高度 9.15 mm 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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