BC847BPDW1T1G和UMZ2NTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BPDW1T1G UMZ2NTR BC847BPN

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFEROHMTwo transistors per an integrated circuit semiconductor package. ### 双极晶体管,ROHMNXP  BC847BPN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-88

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 1.00 A 150 mA -

额定功率 0.38 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 ≤5.00 V - -

针脚数 3 - 6

极性 NPN, PNP NPN+PNP N-Channel, P-Channel, NPN, PNP

耗散功率 380 mW - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.15A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 120 @1mA, 6V -

额定功率(Max) 380 mW 150 mW -

直流电流增益(hFE) 100 - 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 380 mW 150 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 560 -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.7 mm -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-88

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not For New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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