IRF7478和STS7NF60L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7478 STS7NF60L IRF7478TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 VN沟道,60V,3.5A,30mΩ@4.5V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 4.20 A 7.50 A 7.00 A

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.017 Ω 30 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V -

输入电容 - 1.70 nF 1740pF @25V

栅电荷 - 25.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.50 A 7.00 A

上升时间 2.60 ns 27 ns 2.60 ns

输入电容(Ciss) 1740pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) -

产品系列 IRF7478 - IRF7478

高度 - 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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