IPP057N08N3GXKSA1和IPP070N08N3 G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP057N08N3GXKSA1 IPP070N08N3 G IPP054NE8NGHKSA2

描述 INFINEON  IPP057N08N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 VMOSFET N-CH 80V 80A TO220-3TO-220AB N-CH 85V 100A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

耗散功率 150 W 136W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 85 V

输入电容(Ciss) 4750pF @40V(Vds) 3840pF @40V(Vds) 12100pF @40V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 136W (Tc) 300W (Tc)

额定功率 150 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 4.9 mΩ - -

极性 N-Channel - N-CH

阈值电压 2.8 V - -

漏源击穿电压 80 V - -

连续漏极电流(Ids) 80A - 100A

上升时间 66 ns - -

额定功率(Max) 150 W - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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