DMG4N65CT和DMG4N65CTI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMG4N65CT DMG4N65CTI

描述 Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3Pin TO-220 TubeTrans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 -

漏源极电阻 2.1 Ω -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.19 W 8.35 W

阈值电压 3 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

漏源击穿电压 650 V -

连续漏极电流(Ids) 4A 4A

上升时间 13.8 ns 13.8 ns

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.19 W 8.35 W

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.19W (Ta) 8.35W (Ta)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life End of Life

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

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