IRFS7530PBF和NVB5860NLT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS7530PBF NVB5860NLT4G IRFS7530TRLPBF

描述 INFINEON  IRFS7530PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 VN 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorINFINEON  IRFS7530TRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-263AB-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.00165 Ω - 0.00165 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 375 W 283 W 375 W

阈值电压 3.7 V - 3.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 295A 220A 295A

输入电容(Ciss) 13703pF @25V(Vds) 13216pF @25V(Vds) 13703pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 283W (Tc) 375 W

通道数 - 1 1

上升时间 - 58 ns 141 ns

下降时间 - 144 ns 104 ns

额定功率 - - 375 W

漏源击穿电压 - - 60 V

长度 10.54 mm 10.29 mm 10.67 mm

宽度 4.69 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 9.65 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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