对比图
型号 IRFU5305 SPU30P06P MTB30P06VT4G
描述 IPAK P-CH 55V 31ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-263-3
额定电压(DC) -55.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -28.0 A -30.0 A -30.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 80 mΩ
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 110W (Tc) 125W (Tc) 3 W
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 30.0 A 30.0 A
上升时间 66 ns - 25.9 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 3 W
下降时间 63 ns - 52.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 125W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc)
产品系列 IRFU5305 - -
输入电容 - 1.53 nF -
栅电荷 - 48.0 nC -
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99