对比图
型号 CSD18510KTT CSD18513Q5A CSD18512Q5B
描述 CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 8 8
封装 TO-263-3 VSONP-8 8-VSON-CLIP
耗散功率 250 W 3.1 W 3.1 W
上升时间 8 ns 12 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 8870pF @20V(Vds) 3300pF @20V(Vds) 5480pF @20V(Vds)
下降时间 8 ns 4 ns 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 3100 mW 3100 mW
漏源极电压(Vds) - - 40 V
长度 9.25 mm - -
宽度 10.26 mm - -
高度 19.7 mm - -
封装 TO-263-3 VSONP-8 8-VSON-CLIP
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 无铅 无铅 Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99 -