对比图
型号 STD7NM50N-1 STD8NM50N STD7NM50N
描述 N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
耗散功率 45W (Tc) 45 W 45 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds) 400pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 45 W -
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 0.73 Ω 780 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 3 V -
上升时间 - 4.4 ns 5 ns
下降时间 - 8.8 ns 9 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) - - 2.50 A
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -