对比图
描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-6 SC-70-6
引脚数 - 6
额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA
极性 PNP PNP
耗散功率 380 mW 380 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 380 mW 380 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
频率 - 100 MHz
针脚数 - 6
直流电流增益(hFE) - 220
耗散功率(Max) - 380 mW
长度 2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm
高度 0.9 mm 0.9 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/12/17
香港进出口证 NLR -
ECCN代码 - EAR99