对比图
型号 JAN2N3715 JANTX2N3716 JAN2N3716
描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
耗散功率 5000 mW 5 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V
额定功率(Max) 5 W 5 W 5 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW 5000 mW
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -