对比图
型号 IRF7240TRPBF STS5PF30L FDS6675BZ
描述 P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10VP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6675BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 0.025 Ω 0.045 Ω 0.0108 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) -10.5 A 5.00 A 11.0 mA
上升时间 - 35 ns 7.8 ns
输入电容(Ciss) 9250pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 2470pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W
下降时间 - 35 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
产品系列 IRF7240 - -
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -5.00 A -
阈值电压 - 1.6 V -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99