FDS4435A和STS7PF30L

对比图

型号 FDS4435A STS7PF30L IRF7424.PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4435A  晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 VP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON  IRF7424.PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 13.5 mohm, -10 V, -2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -9.00 A -7.00 A -

通道数 1 - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 17 mΩ 0.016 Ω 0.0135 Ω

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 -250 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 7.00 A -

上升时间 15 ns 54 ns -

输入电容(Ciss) 2010pF @15V(Vds) 2600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

下降时间 55 ns 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) -

阈值电压 - 1.6 V -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -