对比图
型号 IRF1503SPBF STB95N3LLH6 STB200NF04T4
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 190A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 - 0.0037 Ω 3.70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 70 W 310000 mW
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80A 120 A
上升时间 130 ns 91 ns 320 ns
输入电容(Ciss) 5730pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
下降时间 - 23.4 ns 120 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 310000 mW
额定电压(DC) 30.0 V - 40.0 V
额定电流 75.0 A - 120 A
通道数 1 - -
产品系列 IRF1503S - -
额定功率(Max) 200 W - 310 W
漏源击穿电压 - - 40.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -