FQU2N90TU_WS和FQU2N90TU_AM002

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU2N90TU_WS FQU2N90TU_AM002 FQU2N90TU

描述 Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) IPAK RailTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) IPAK RailN沟道 900V 1.7A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.7A 1.70 A

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

额定电压(DC) - - 900 V

额定电流 - - 1.70 A

漏源极电阻 7.2 Ω - 7.20 Ω

漏源击穿电压 900 V - 900 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

通道数 1 - -

上升时间 35 ns - -

下降时间 30 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 6.8 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 6.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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