对比图
型号 DMG3415U-7 PMV65XP SI2399DS-T1-GE3
描述 DMG3415U-7 编带P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管RF模块、IC及配件
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 31 mΩ - 0.028 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 900 mW - 1.25 W
阈值电压 550 mV - 600 mV
输入电容 294 pF - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 4A 2.8A 5.1A
上升时间 117 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 294pF @10V(Vds) - 835pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW - 2.5 W
下降时间 393 ns - 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 900mW (Ta) - 1250 mW
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 1 mm - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -