对比图
型号 JANS2N3019 JANTXV2N3019 2N3019
描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS 2N3019 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 5 W, 1 A, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-5 TO-5 TO-5-3
耗散功率 0.8 W 0.8 W 5 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
频率 - - 100 MHz
额定电压(DC) - - 140 V
额定电流 - - 1.00 A
针脚数 - - 3
极性 - - NPN
增益频宽积 - - 100 MHz
集电极击穿电压 - - 140 V
最大电流放大倍数(hFE) - - 300
直流电流增益(hFE) - - 100
封装 TO-5 TO-5 TO-5-3
长度 - - 9.4 mm
宽度 - - 9.4 mm
高度 - - 1.5 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray Tray Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99