对比图
型号 FF800R17KE3B2NOSA1 FF800R17KP4B2NOSA2
描述 1700V IHM 130mm Dual IGBT Module with IGBT3, enlarged diode and AlSiC base-plate - The best solution for your traction and industry applicationsTrans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
引脚数 7 10
封装 A-IHM130-1 A-IHM130-1
封装 A-IHM130-1 A-IHM130-1
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
耗散功率 - 4850000 mW
工作温度(Max) - 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 4850000 mW