对比图
型号 FDG6301N FDG6335N NTJD5121NT1G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6301N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 VON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 4 Ω 0.18 Ω 1 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 300 mW 300 mW 266 mW
阈值电压 850 mV 1.1 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 25 V 20 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 220 mA 700 mA 330 mA, 295 mA
上升时间 4.5 ns 7 ns 34 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) 113pF @10V(Vds) 26pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW
下降时间 3.2 ns 1.5 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.3 W 0.3 W 266 mW
额定电压(DC) 25.0 V 20.0 V -
额定电流 220 mA 700 mA -
漏源击穿电压 25.0 V 20.0 V -
栅源击穿电压 8.00 V ±12.0 V -
输入电容 9.50 pF - -
栅电荷 290 pC - -
长度 2 mm 2 mm 2.2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.35 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99