对比图
型号 STB15N80K5 STP15N80K5 SPB17N80C3
描述 N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON SPB17N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.3 Ω 0.3 Ω 0.25 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 190 W 190 W 227 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) - 14A 17.0 A
上升时间 17.6 ns 17.6 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 2300pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 190 W 227 W
下降时间 10 ns 10 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 227W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 17.0 A
额定功率 - - 227 W
通道数 - - 1
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.31 mm
宽度 9.35 mm 4.6 mm 9.45 mm
高度 4.6 mm 15.75 mm 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR