对比图
型号 IRFP4227PBF STW90NF20 STW52NK25Z
描述 N沟道,200V,65A,25mΩ@10VN沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STW52NK25Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.025 Ω 23 mΩ 0.033 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 330 W 300 W 300 W
产品系列 IRFP4227 - -
阈值电压 30 V - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 65.0 A 83A 26.0 A
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 5736pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 300 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 200 V 250 V
上升时间 - 138 ns 75 ns
下降时间 - 142 ns 55 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300000 mW
额定电压(DC) - - 250 V
额定电流 - - 52.0 A
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -