对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MJ11028G 达林顿双极晶体管高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power TransistorsSEMELAB MJ11028 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 60V, 300W, 50A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Semelab
分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 - 2
封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 300 W 300 W 300 W
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @25A, 5V 1000 @25A, 5V 1000
直流电流增益(hFE) 18 - 1000
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 50.0 V 120 V -
额定电流 50.0 A 50.0 A -
针脚数 2 - -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 120 V -
集电极最大允许电流 50A 50A -
最大电流放大倍数(hFE) 18000 18000 -
额定功率(Max) 300 W 300 W -
耗散功率(Max) 300000 mW - -
封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-3
宽度 26.67 mm 26.67 mm -
长度 - 38.86 mm -
高度 - 8.51 mm -
工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tray Tray -
最小包装 - 100 -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
含铅标准 Lead Free Contains Lead -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -