BUH50G和BUL39D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUH50G BUL39D BUH50

描述 高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管STMICROELECTRONICS  BUL39D  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 70 W, 2.5 A, 10 hFE功率晶体管4安培800伏50瓦 POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 4 MHz - -

额定电压(DC) 500 V 450 V 500 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 50 W 70 W 50 W

增益频宽积 4 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 500 V 450 V 500 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @2A, 5V 10 @10mA, 5V 5 @2A, 5V

额定功率(Max) 50 W 70 W 50 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 50 W 70000 mW -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 10 -

长度 10.28 mm 10.4 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.6 mm 4.82 mm

高度 15.75 mm 9.15 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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