DS1265AB-100和DS1265AB-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265AB-100 DS1265AB-100+ DS1265AB-70+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 - 36

封装 EDIP-36 DIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 100 GHz - 70.0 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 70.0 ns

内存容量 8000000 B - 1000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

封装 EDIP-36 DIP-36 EDIP-36

长度 - 53.34 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 10.29 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

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