DS1245AB-120IND和DS1245AB-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245AB-120IND DS1245AB-70IND+ DS1245AB-120IND+

描述 IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIPRAM,Maxim Integrated### SRAM(静态随机存取存储器)IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-32 DIP-32 DIP-32

引脚数 - 32 -

存取时间 - 70 ns 120 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) -

针脚数 - 32 -

时钟频率 - 70.0 GHz -

内存容量 - 1000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

封装 EDIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 - 44.2 mm -

高度 - 10.92 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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