对比图
型号 IRFR120NPBF STD6NF10T4 IRFR120NTRPBF
描述 N沟道 100V 9.4ASTMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V100V,9.4A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 9.10 A 6.00 A 9.40 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.21 Ω 0.22 Ω 0.21 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 30 W 48 W
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.40 A 3.00 A 9.40 A
上升时间 23.0 ns 10 ns 23.0 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 30 W 48 W
下降时间 - 3 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 30W (Tc) -
产品系列 IRFR120N - IRFR120N
输入电容 330pF @25V - 330pF @25V
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.2 mm -
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -