IRF7832TRPBF和IRF7862TRPBF

对比图

型号 IRF7832TRPBF IRF7862TRPBF IRF7832TR

描述 INFINEON  IRF7832TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 VN 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8SOIC N-CH 30V 20A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 20.0 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)

产品系列 - - IRF7832

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 20A 21A 20.0 A

上升时间 6.7 ns 19 ns 12.3 ns

输入电容(Ciss) 4310pF @15V(Vds) 4090pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 2.5 W 2.5 W -

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0031 Ω 4.5 mΩ -

阈值电压 2.32 V 2.35 V -

输入电容 4310 pF 4090 pF -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 13 ns 11 ns -

工作温度(Max) 155 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

正向电压(Max) 1 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -