DS1220AB-100和DS1220AB-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-100 DS1220AB-100IND+ DS1220AB-100+

描述 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIPRAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 DIP-24 EDIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 100 GHz - 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 2000 B - 2000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 0 ℃

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

封装 DIP-24 EDIP-24 DIP-24

长度 - 38.1 mm 34.04 mm

宽度 - 18.8 mm 18.29 mm

高度 - 10.67 mm 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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