KSH122TM和MJD122T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH122TM MJD122T4G KSH122TF

描述 NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington TransistorON SEMICONDUCTOR  MJD122T4G.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

额定功率 1.75 W - 1.75 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.75 W 20 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - 1000 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20 W

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

增益带宽 - 4MHz (Min) -

长度 6.6 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.1 mm

高度 2.3 mm 2.38 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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