对比图
型号 IRLML2030TRPBF MGSF1N03LT1G ZXMN3B01FTA
描述 INFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 VON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 VZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 750 mA 2.00 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.08 Ω 0.1 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 730 mW 625 mW
阈值电压 1.7 V 1.7 V 700 mV
输入电容 110 pF 140pF @5V 258 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.7A 2.10 A, 1.60 mA 2.00 A
上升时间 3.3 ns 1 ns 3.98 ns
输入电容(Ciss) 110pF @15V(Vds) 140pF @5V(Vds) 258pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 420 mW 625 mW
下降时间 2.9 ns 8 ns 5.27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 420mW (Ta) 806 mW
额定功率 1.3 W - -
栅电荷 - - 2.93 nC
长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 1.02 mm 1.01 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -