对比图
型号 FDS9926A STS5DNF20V NTMD6N02R2G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 VN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V
额定电流 6.50 A 5.00 A 6.00 A
通道数 2 - 2
漏源极电阻 0.025 Ω 30 mΩ 0.035 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 1 V 2.7 V 900 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V 20.0 V 20 V
栅源击穿电压 ±10.0 V ±12.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 5.00 A 6.50 A
上升时间 9 ns 33 ns 50.0 ns
输入电容(Ciss) 650pF @10V(Vds) 460pF @25V(Vds) 1100pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W 730 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W
额定功率 - 1.6 W -
针脚数 8 8 -
下降时间 4 ns 10 ns -
输入电容 650 pF - -
栅电荷 6.20 nC - -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.65 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -