MJD45H11RL和MJD45H11T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD45H11RL MJD45H11T4 MJD45H11G

描述 硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORSSTMICROELECTRONICS  MJD45H11T4  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 DPAK-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - - 90 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 - - 6.25℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 8A - 8A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

额定功率(Max) - 20 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - 40 60

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - 20000 mW 1750 mW

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 - 2.4 mm 2.38 mm

封装 DPAK-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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